Im Rahmen einer Forschungsallianz ist es IBM gelungen, Test-Chips in 7-Nanometer-Technologie herzustellen.
Einer Forschungsallianz von IBM Research mit Global Foundries , Samsung und dem College of Nanoscale Science and Engineering der State University of New York Polytechnic Institute (SUNY) ist es gelungen, Test-Chips mit funktionstüchtigen Transistoren in 7-Nanometer-Technologie herzustellen. Die Verkleinerung der Strukturen bei der Chipfertigung haben laut IBM das Potenzial, das Stromverbrauch-Rechenleistung-Verhältnis um mindestens 50% zu verbessern.
Um die technologischen Hürden bei der 7-nm-Fertigung zu überwinden, setzen die Forscher im wesentlichen auf drei innovative Technologien. Zum ersten ist es die Einführung von Silizium-Germanium im Transistorkanal, um die Transistorleistung zu verbessern. Zum zweiten wurde der Herstellungsprozess so optimiert, dass es möglich ist, Transistoren mit weniger als 30 nm Abstand zu schichten (zum Vergleich: bei der Intel-Fertigung von Broadwell-Prozessoren im 14nm-Verfahren sind es 42nm). Drittens wird bei dem neu entwickelten Verfahren Extrem-Ultraviolett-Lithographie (EUV) verwendet.
Bis das 7nm-Verfahren produktionsreif ist, werden noch einige Jahre vergehen. Derzeit arbeitet beispielsweise Global Foundries daran, das 10nm-Verfahren zur Produktionsreife zu bringen.
Die Chipproduktion in 10nm-Technologie soll erst 2017 starten.