Intel mit erstem 128 Gigabit-NAND

06.12.2011

Intel und Micron Technology setzen einen weiteren Meilenstein in der SSD-Entwicklung.

Intel und die Firma Micron Technology haben zusammen den weltweit ersten MLC NAND-Flash mit 128 Gigabit in 20 Nanometer-Technologie vorgestellt. Der monolitische NAND Flash-Baustein kann 1 Terabit Daten auf der Größe eines Fingernagels speichern. Die neuste Entwicklung bietet mit der High-Speed ONFI 3.0 Spezifikation Geschwindigkeiten bis zu 333 Megatransfers pro Sekunde (MT/s) Damit lassen sich noch kosteneffizientere Solid-State Speicherlösungen etwa in Tablets oder Smartphones sowie Solid-State-Drives (SSDs) mit hoher Kapazität herstellen. Es ist der erste NAND weltweit, der eine innovative Zellenstruktur nutzt, und damit die Einschränkungen von Standard-Floating-Gate NAND überwindet.

Intel und Micron Technology setzen gemeinsam einen neuen Maßstab im Bereich der NAND Flash Speichertechnologie – der weltweit erste 20 Nanometer MLC NAND Flash mit 128 Gigabit. Der weltweit erste monolitische NAND Flash Baustein kann 1 Terabit Daten auf der Größe eines Fingernagels speichern. Die neuste Entwicklung bietet mit der High-Speed ONFI 3.0 Spezifikation Geschwindigkeiten bis zu 333 Megatransfers pro Sekunde (MT/s).

 

 

 

 

Damit können noch kosteneffizientere Solid-State Speicherlösungen für schlanke und schnitte Gerätedesigns, inklusive Tablets, Smartphones, sowie hochkapazitäre Solid-State-Drives (SSDs) geliefert werden. Es ist der erste NAND weltweit, der eine innovative Zellenstruktur nutzt, und damit die Einschränkungen von Standard-Floating-Gate NAND überwindet.

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