TDK führt MRAM-Prototyp vor

08.10.2014

Die Firma TDK hat den Prototyp eines magnetoresistiven RAM vorgestellt, dass die Vorteile von Flash und RAM vereint .

Die japanische Firma TDK hat nach einem Bericht von IT News den Prototyp eines magnetoresistiven RAM-Speichers (MRAM) vorgestellt. Er vereint die schnellen Zugriffszeiten herkömmlicher RAM-Bausteine mit der Fähigkeit von Flash-Speichern, die Daten auch nach Abschalten der Stromversorgung zu behalten.

Grundsätzlich funktionieren magnetoresistive Bauelemente so, dass sich der elektrische Widerstand in Speicherzellen durch den Einfluss eines Magnetfelds ändert. Es können verschiedene physikalische Wirkprinzipien verwendet werden, um dies zu erreichen, etwa der Effekt des magnetischen Tunnelwiderstands.

Bei den neuen TDK-Prototypen handelt es sich um sogenannte Spin-Torque MRAMs, bei dem das Drehmoment von Elektronen beim Stromfluss ausgenutzt wird. Laut TDK kann es noch zehn Jahre dauern, bis sich die Bausteine in Massenproduktion fertigen lassen.

Mit Everspin gibt es aber ein anderes Unternehmen auf dem MRAM-Markt, das bereits Bausteine produziert, die für den industriellen Einsatz taugen. Everspin produziert auch DDR3-kompatibles MRAM-ST mit 64 MBytes Kapazität. Eingesetzt werden Everspin-MRAMs etwa in bestimmten SATA-3-SSDs von Buffalo .

Nicht zu verwechseln sind MRAMs mit der Memristor-Technologie, die noch weit von einer Realisierung entfernt sind, auch wenn etwa HP bereits angekündigt hat, einen Computer mit Memristoren zu bauen.

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