Im Rahmen einer Forschungsallianz ist es IBM gelungen, Test-Chips in 7-Nanometer-Technologie herzustellen.
Einer Forschungsallianz von IBM Research mit Global Foundries, Samsung und dem College of Nanoscale Science and Engineering der State University of New York Polytechnic Institute (SUNY) ist es gelungen, Test-Chips mit funktionstüchtigen Transistoren in 7-Nanometer-Technologie herzustellen. Die Verkleinerung der Strukturen bei der Chipfertigung haben laut IBM das Potenzial, das Stromverbrauch-Rechenleistung-Verhältnis um mindestens 50% zu verbessern.
Um die technologischen Hürden bei der 7-nm-Fertigung zu überwinden, setzen die Forscher im wesentlichen auf drei innovative Technologien. Zum ersten ist es die Einführung von Silizium-Germanium im Transistorkanal, um die Transistorleistung zu verbessern. Zum zweiten wurde der Herstellungsprozess so optimiert, dass es möglich ist, Transistoren mit weniger als 30 nm Abstand zu schichten (zum Vergleich: bei der Intel-Fertigung von Broadwell-Prozessoren im 14nm-Verfahren sind es 42nm). Drittens wird bei dem neu entwickelten Verfahren Extrem-Ultraviolett-Lithographie (EUV) verwendet.
Bis das 7nm-Verfahren produktionsreif ist, werden noch einige Jahre vergehen. Derzeit arbeitet beispielsweise Global Foundries daran, das 10nm-Verfahren zur Produktionsreife zu bringen.
Die Chipproduktion in 10nm-Technologie soll erst 2017 starten.